多くの大学・高専でご採用いただいている定番のテキストが、より見やすくなりました。 半導体の基礎から各デバイスの動作原理までを説明したコンパクトなテキストです。 バイポーラトランジスタ、MESFET、MISFETに加え、集積回路、光半導体デバイス、パワーデバイスなどについても章を設け、解説しています。 【目次】 第1章 電子と結晶 1.1 価電子と結晶 1.2 結晶と結合形式 1.3 結晶の単位胞と方位 演習問題 第2章 エネルギー帯と自由電子 2.1 エネルギー準位 2.2 エネルギー帯の形成 2.3 半導体・金属・絶縁物のエネルギー帯構造の違い 演習問題 第3章 半導体のキャリヤ 3.1 真性半導体のキャリヤ 3.2 外因性半導体のキャリヤ 3.3 キャリヤ生成機構 演習問題 第4章 キャリヤ密度とフェルミ準位 4.1 キャリヤ密度 4.2 真性キャリヤ密度 4.3 真性フェルミ準位 4.4 多数キャリヤと少数キャリヤ 4.5 外因性半導体のキャリヤ密度とフェルミ準位 演習問題 第5章 半導体の電気伝導 5.1 ドリフト電流 5.2 半導体におけるオームの法則 5.3 拡散電流 5.4 キャリヤ連続の式 演習問題 第6章 pn 接合とダイオード 6.1 pn 接合 6.2 pn 接合ダイオード 6.3 pn 接合ダイオードの電流の大きさ 6.4 ダイオードの実際構造 演習問題 第7章 ダイオードの接合容量 7.1 空乏層容量 7.2 拡散容量 演習問題 第8章 バイポーラトランジスタ 8.1 バイポーラトランジスタの動作原理 8.2 IB によるIC の制御 8.3 電流増幅率 8.4 電流増幅率の決定因子 8.5 接地形式と増幅利得 8.6 特性と実際動作 演習問題 第9章 金属半導体接触 9.1 ショットキー障壁 9.2 ショットキーバリヤダイオード 9.3 オーミック接触 演習問題 第10章 MESFET 10.1 MESFET の動作原理 10.2 動作特性と動作モード 10.3 エンハンスメントモード動作 演習問題 第11章 MISFET 11.1 MIS 構造ゲートの動作 11.2 反転状態の解析 11.3 MISFET の動作原理と特性 11.4 MOSFET の実際構造と特性 11.5 MOS キャパシタンス 11.6 フラットバンド電圧 演習問題 第12章 集積回路 12.1 IC の回路構成法 12.2 IC の内部構造 12.3 アナログIC とディジタルIC 12.4 CMOS ディジタルIC 12.5 メモリIC 演習問題 第13章 光半導体デバイス 13.1 光子 13.2 光導電効果 13.3 光起電力効果 13.4 半導体の発光現象 13.5 発光デバイス 演習問題 第14章 パワーデバイス 14.1 サイリスタ 14.2 トライアック 14.3 パワーMOSFET 14.4 IGBT 演習問題 演習問題解答 参考文献 付表 索引